CMOS的制作需要经过一系列的复杂的化学和物理操作，而做为一名集成电路版图（ic layout）工程师，系统的了解这个在半导体制造技术中具有代表性的CMOS工艺流程是非常有必要的。只有熟悉了工艺流程才会了解各层次之间的关系，才会在IC Layout的绘制中考虑到版图中各层次对流片产生的影响。
1
初始清洗
将晶圆放入清洗槽中，利用化学或物理方法将在晶圆表面的尘粒或杂质去除，防止这些杂质尘粒对后续制造工艺造成影响。
2
前置氧化
利用热 氧化法生 长一层二氧化硅（Si 02 ）薄 膜，目的是为了降低后续生长 氮化硅（Si3N4）薄 膜工艺 中的应力 。氮化硅具有很强的应力，会影响晶圆表面的结构，因此要在这一层S i3 N4 及硅晶圆之间生长一层Si02 薄 膜，以此来减缓 氧化硅与硅晶圆间的应力。
3
淀积Si3N4
利用低 压化学气相沉积（L PC VD ）技术，沉 积一层Si3N4 ，用来作为离子注入的掩模板，同 时在后续工艺中定义 p阱的区域。
4
p 阱的形成
将光刻胶涂在晶圆上后，利用光刻技术，将所要形成的p型阱区的图形定义出来，即将所要定义的p型阱区的光刻胶去除。
5
去除Si3N4
利用 干法刻蚀的方法将晶圆表面的 Si3N4 去除。
6
p 阱离子注入
利用 离子注入技术 ，将棚打入晶圆中，形成P阱 ，接着利用无机榕液（硫酸）或干式臭氧烧除法将光刻胶去除。
7
p 阱退火及氧化层的形成
将晶圆放入炉管中进行高温处理，以达到硅晶圆退火的目的，并顺便形成层n阱的离子注入掩模层，以阻止后续步骤中（n阱离子注入）n型掺杂离子被打入p阱内。
8
去除 Si3N4
利用热磷酸 湿式蚀刻方法将晶圆表面的 Si3N4 去除掉。
9
n阱离子注入
利用离子注入技术，将磷打入晶圆中，形成n阱。而在p阱的表面上，由于 有一层Si 02 膜保护，所以磷元素不会打入p阱 中。
10
n 阱退火
离子注入后，会严重破坏硅晶圆晶格的完整性。所以掺杂 离子注入后的 晶圆必须经过适当的处理以回复原始的晶格排列。退火就是利用热能来消除晶圆中晶格缺陷和内应力，以恢复晶格的完整性，同时使注入的掺杂原子扩散到硅原子的替代位置，使掺杂元素产生电特性。
11
去除Si02
利用湿法刻蚀方法去除晶圆表面的Si02 。
12
前置氧化
利用热氧化法在晶圆上形成一层薄的氧化层，以减轻后续Si3N4 沉积工艺所产生的应力。
13
Si3N4 的淀积
利用LPCVD 技术淀积Si3N4 薄膜，用于定义出元器件隔离区域，便不被Si3N4 遮盖的区域可被氧化而形成组件隔离区。
14
元器件隔离区的掩模形成
利用光刻技术，在晶圆上涂覆光刻胶，进行光刻胶曝光与显影，接着将氧化绝缘区域的光刻胶去除，以定义出元器件隔离区。
15
Si3N4的刻蚀
以活性离子刻蚀法去除氧化区域上的S i3N4 ，再将所有光刻胶去除。
16
元器件隔离区的氧化
利用氧化技术 ，长 成一层Si 02 膜，形成元器件的隔离区。